时间：2025/5/9 18:26:47
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FQP6N90C 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，广泛用于开关电源、电机驱动以及各类功率转换应用中。
该型号的 FQP6N90C 属于经典的功率 MOSFET 系列，其耐压能力高达 500V，使其能够适应多种高压应用场景。同时，其较低的导通电阻确保了在高电流工作条件下的高效表现。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：9.1A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：1.3Ω
功耗：175W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQP6N90C 的主要特性包括：
1. 高击穿电压 (500V)，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻 (典型值为 1.3Ω)，降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 较小的输入电容，简化驱动设计。
5. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. TO-220 封装提供良好的散热性能，便于安装和使用。
FQP6N90C 在设计上优化了高压和大电流场景中的表现，同时兼顾成本与性能，是许多工业及消费类电子产品的理想选择。
FQP6N90C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 电磁阀和继电器驱动。
4. 电池充电器和其他功率管理模块。
5. 逆变器和太阳能微逆变器。
6. 各类需要高压开关的工业设备。
由于其出色的性能和可靠性，FQP6N90C 成为许多工程师在设计高压功率系统时的首选器件。
FQP6P90C, IRF650N, STP50NF06
