型号：5962-8981002KPC
　　制造商：Texas Instruments
　　器件类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　工艺技术：BiCMOS
　　容量：16K x 8 位（128 Kbit）
　　组织结构：16,384 字 × 8 位
　　电源电压：+5V ±5%
　　最大访问时间：15 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：28-lead Ceramic Dual-In-Line Package (CDIP)
　　接口类型：并行
　　读写模式：异步
　　功耗（典型值）：120 mW（待机时可降至 10 mW）
　　可靠性等级：QML Class V（MIL-PRF-38535 认证）
　　辐射耐受性：支持抗总电离剂量（TID）能力（具体数值需参考数据手册）
　　湿气敏感等级（MSL）：1（无限车间寿命）
　　引脚数：28
　　安装方式：通孔（Through-Hole）

5962-8981002KPC 具备卓越的高速读写性能，其最大访问时间仅为15纳秒，使其能够广泛应用于对响应速度要求极高的实时信号处理、雷达系统、飞行控制系统以及卫星通信设备中。该器件采用异步控制架构，无需时钟同步即可完成地址锁存与数据输出，简化了系统设计复杂度，并提高了整体系统的灵活性。其内部存储阵列为16K×8位结构，提供128Kbit的总存储容量，在满足大多数嵌入式系统缓存需求的同时保持较低的物理尺寸和功耗水平。BiCMOS制造工艺不仅提升了开关速度，还显著降低了静态和动态功耗，相较于传统双极型SRAM更加节能高效。
　　该芯片在可靠性方面表现尤为突出，通过了完整的MIL-STD-883测试方法中的各项筛选流程，包括温度循环、机械冲击、振动、高压蒸煮（PCT）和细检漏测试，确保其在极端力学与热学环境中长期稳定运行。此外，器件具有高噪声抑制能力，输入端集成了施密特触发器以增强信号完整性，有效防止因电磁干扰引起的误触发问题。所有引脚均经过防闩锁设计优化，符合MIL-STD-750标准对闩锁效应的严格限制。
　　5962-8981002KPC 还支持多种低功耗模式，例如待机模式和睡眠模式，允许系统在非活跃状态下大幅降低电流消耗，延长电池供电系统的使用寿命。其陶瓷封装具备优异的热导率和气密性，防止湿气和污染物侵入，避免内部金属线路腐蚀，从而保障长期存储数据的完整性。同时，该器件支持三态输出控制，允许多个存储器共享同一数据总线，提升系统集成度。由于其被列入SMD（Standard Microcircuit Drawing）5962-89810标准图纸目录，因此在整个生命周期内拥有稳定的供货渠道和技术支持，是国防、航空电子、深空探测等高可靠性领域首选的SRAM解决方案之一。

5962-8981002KPC 主要应用于需要极高可靠性和环境适应能力的关键任务系统中。其典型使用场景包括军用航空电子系统，如战斗机航电计算机、惯性导航系统和雷达信号处理器，这些系统要求存储器能够在剧烈振动、高低温交替和强电磁干扰环境下持续稳定运行。在航天领域，该器件常用于卫星姿态控制单元、遥测数据缓冲器和星载计算机内存模块，凭借其抗辐射特性和长期稳定性，确保在外层空间极端真空与辐射条件下仍能正常工作。
　　此外，它也被广泛部署于地面移动军事通信平台、导弹制导系统和潜艇声呐处理系统中，作为高速缓存或临时数据存储单元。由于具备QML-V认证，该器件符合国防部对供应链安全与质量追溯的严格要求，适用于必须通过严格资质审核的项目采购。在核工业与高能物理实验装置中，5962-8981002KPC 可用于前端采集系统的数据暂存，抵抗来自粒子辐射导致的数据翻转错误。同时，一些高端工业控制系统，特别是位于极地或沙漠等恶劣自然环境中的远程监控站，也会选用此类高可靠性SRAM来保障无人值守设备的长期运行稳定性。总之，任何对数据完整性、响应速度和系统可用性有极致要求的应用场景，都是该器件的理想选择。

5962-8981001XXA
　　5962-8981001XXB
　　5962-8981002XPA
　　MIL-STD-883B 1501A