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MT41J256M8HX-15E:D 发布时间 时间:2025/5/10 10:36:50 查看 阅读:14

MT41J256M8HX-15E:D 是一款由 Micron(美光)生产的 DDR3L SDRAM 内存芯片,属于低电压系列。该芯片主要应用于移动设备、笔记本电脑以及其他对功耗敏感的系统中。DDR3L 使用 1.35V 的工作电压,相比标准 DDR3 的 1.5V 能够有效降低功耗。
  该型号支持高达 1066Mbps 的数据传输速率,具备高带宽和低延迟的特点,确保设备在处理多媒体、图形密集型任务时表现优异。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:256Mb (32MB)
  组织结构:16M x 16
  数据宽度:8位
  速度等级:1066Mbps
  工作电压:1.35V
  封装形式:FBGA 96-ball
  操作温度:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1.0mm

特性

MT41J256M8HX-15E:D 具有以下显著特点:
  1. 高性能:支持高达 1066Mbps 的数据速率,满足现代应用对高速数据处理的需求。
  2. 低功耗:采用 1.35V 工作电压,适合便携式和电池供电设备。
  3. 小型封装:FBGA 96 球封装使其非常适合空间受限的设计。
  4. 可靠性:通过严格的测试流程,保证长时间稳定运行。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下正常工作,适应多种应用场景。

应用

这款芯片适用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内存扩展。
  2. 笔记本电脑和其他便携式计算设备的内存模块。
  3. 嵌入式系统中的数据存储与缓存功能。
  4. 数字电视、机顶盒以及其他消费类电子产品中的图形和视频处理。
  5. 物联网设备中的数据缓存与临时存储。
  其高性能和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

MT41J256M8HR-15E:D, MT41J256M8HX-125:E

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MT41J256M8HX-15E:D参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型DDR3 SDRAM
  • 存储容量2G(256M x 8)
  • 速度667MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.425 V ~ 1.575 V
  • 工作温度0°C ~ 95°C
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商设备封装78-FBGA(9x11.5)
  • 包装托盘