GP565NJCG是一种高性能的功率MOSFET,采用N沟道增强型技术。该器件广泛用于电源管理、电机驱动和负载开关等应用中。其出色的导通电阻和快速开关性能使其在高效率转换电路中表现优异。此外,GP565NJCG封装设计紧凑,适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5.1A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷:17nC
总功耗:28W
工作温度范围:-55℃至150℃
GP565NJCG具备低导通电阻和高电流处理能力,能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
它还具有快速开关速度,从而减少开关损耗。
内置的ESD保护功能增强了器件的可靠性。
此外,GP565NJCG采用了DFN5*6封装形式,体积小且散热性能良好,非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用。
GP565NJCG适用于多种领域,包括但不限于:
- DC-DC转换器
- 开关电源(SMPS)
- 电池保护电路
- 电机控制
- 负载开关
- 电信和网络设备中的功率管理模块
IRLZ44N
FDP5570
AO3402