IS42S16800F-6BLI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速、低功耗的 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。该器件具有 8Mbit 的存储容量,组织结构为 1M x 8 或 512K x 16,支持同步操作,适用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统、通信设备和网络设备等应用。
容量:8Mbit
组织结构:1M x 8 / 512K x 16
电源电压:3.3V
访问时间:6ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:54-TSOP
接口类型:SDRAM
IS42S16800F-6BLI-TR 是一款高性能的 CMOS 同步动态存储器,专为需要高速数据吞吐和低功耗的应用设计。其同步架构确保与系统时钟的高效配合,从而提升整体系统性能。该芯片采用了先进的 CMOS 工艺技术,具有较高的可靠性和稳定性。
这款 SDRAM 芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不中断系统运行的情况下完成刷新操作,确保数据的完整性。此外,它还具备低待机电流特性,有助于降低系统功耗,延长设备的使用寿命。
IS42S16800F-6BLI-TR 的封装形式为 54-TSOP,适用于表面贴装技术(SMT),便于在各种 PCB 设计中集成。其工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C,适合在严苛环境中使用。
该芯片广泛应用于网络设备、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中,作为临时数据存储或高速缓存使用,满足不同场景下的性能需求。
IS42S16800F-6BLI-TR 主要用于以下应用场景:嵌入式系统的高速缓存存储器、网络路由器和交换机的数据缓冲器、工业控制设备的临时数据存储、通信模块中的高速数据交换存储器,以及需要高性能和低功耗存储解决方案的消费类电子产品。
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