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MT41J128M16JT-107:K 发布时间 时间:2025/5/23 0:14:51 查看 阅读:19

MT41J128M16JT-107:K 是一款由 Micron(美光)制造的 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片主要面向移动设备和低功耗应用,采用先进的制程工艺以降低功耗并提高性能。
  DDR3L(Low Voltage)系列内存的工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更加节能,适合对功耗敏感的场景。这款芯片具有高密度、高速度和低延迟的特点,广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。

参数

容量:128Mb (16M x 8)
  接口类型:DDR3L
  工作电压:1.35V
  数据速率:1066Mbps (PC3L-8500)
  封装形式:FBGA 96-ball
  组织结构:x8/x16
  时钟频率:533MHz
  CL值:7
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1mm

特性

MT41J128M16JT-107:K 提供了出色的性能和低功耗设计,其主要特性如下:
  1. 支持 DDR3L 标准,兼容多种平台和设备。
  2. 数据速率达到 1066Mbps,能够满足高性能计算需求。
  3. 工作电压为 1.35V,显著降低了能耗,延长电池寿命。
  4. FBGA 96 球封装形式,适合紧凑型设计。
  5. 宽温范围支持 (-40°C 至 +85°C),适用于各种环境条件。
  6. 提供 x8 和 x16 不同位宽选择,灵活性更高。
  7. 遵循 JEDEC 标准规范,确保与主流硬件平台的兼容性。
  这些特点使 MT41J128M16JT-107:K 成为移动设备存储的理想选择。

应用

该芯片主要用于需要低功耗和高性能的场景,具体包括:
  1. 智能手机和平板电脑中的主内存。
  2. 嵌入式系统,例如工业控制、医疗设备和车载娱乐系统。
  3. 可穿戴设备和其他便携式电子产品。
  4. 物联网(IoT)终端设备,用于数据处理和存储。
  5. 数字电视和机顶盒等消费类电子产品。
  由于其卓越的能效和可靠性,MT41J128M16JT-107:K 在上述领域表现优异。

替代型号

MT41J128M16DT-107IT, K4B2G164QH-DGCE

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MT41J128M16JT-107:K参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(8x14)