时间：2025/8/15 5:27:28
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UF1003FCT是一款由United Silicon Corp（UnitedSiC）生产的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件基于碳化硅半导体技术，具有优异的导电性能和高温工作能力，适用于高效率、高频率的功率转换系统。该器件采用TO-220封装，便于在各种功率电子设备中安装和使用。
类型：碳化硅MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ
栅极电压范围：-10V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
UF1003FCT采用先进的碳化硅技术，具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）为27mΩ，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。由于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件在高温下仍能保持稳定的工作性能，从而减少了对复杂散热系统的依赖。
此外，该MOSFET具有较高的击穿电压（1200V），适用于中高压功率应用。其栅极驱动电压范围为-10V至+20V，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了设计和应用过程。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备良好的机械稳定性和易于安装的特性。
UF1003FCT适用于多种高功率、高效率的电力电子系统。典型应用包括电动车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、风能变流器、工业电机驱动、高功率电源适配器以及不间断电源（UPS）系统等。由于其高频工作能力和低损耗特性，该器件也广泛应用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路。
SiC MOSFET替代型号包括：CREE/Wolfspeed的C3M0065090J、Infineon的IMZA65R027M1H、STMicroelectronics的SCT3045KL、以及ON Semiconductor的NTHL080N120SC1。
