HY27UG082G2M-TPCB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,主要用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。这款芯片具有8位数据总线宽度,支持快速的数据传输速率,适用于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、USB闪存盘等设备。HY27UG082G2M-TPCB 采用TSOP封装形式,具有较高的可靠性和稳定性,适用于工业级和消费级电子产品。
容量:2GB
封装类型:TSOP
数据总线宽度:8位
工作电压:2.7V - 3.6V
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达20MB/s
擦除时间:块擦除时间约2ms
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
接口类型:NAND闪存接口
HY27UG082G2M-TPCB 是一款基于NAND闪存技术的非易失性存储器芯片,具有较长的数据保存周期和较高的写入耐久性。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误,确保数据的完整性和可靠性。此外,该芯片支持坏块管理,能够在制造过程中或使用过程中标记损坏的存储块,从而提高整体存储系统的稳定性。
这款芯片的8位并行接口设计使其能够实现较高的数据传输速率,适用于对存储性能有较高要求的应用场景。其低功耗设计使其在电池供电设备中也能表现出色,延长设备的续航时间。TSOP封装形式不仅提供了良好的电气性能,还具有较强的抗震性和热稳定性,适用于各种复杂的工作环境。
HY27UG082G2M-TPCB 广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中,包括固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、USB闪存盘以及工业控制设备等。由于其高可靠性和稳定性,该芯片也常用于工业自动化系统和车载电子设备中,满足对数据存储和访问的高要求。
K9F2G08U0B-PCB0, MT29F2G08ABAF4B-WP