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MT40A512M16LY-062E:E 发布时间 时间:2025/5/10 15:13:03 查看 阅读:9

MT40A512M16LY-062E:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR4 SDRAM 内存芯片。该芯片主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及其他需要大容量和高速数据传输的应用场景。
  这款芯片支持 JEDEC 标准,具备低功耗和高稳定性的特点,同时并降低能耗。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:512Mb (64M x 8)
  引脚数:78 BGA
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666 MT/s
  封装类型:FBGA
  I/O 电压:1.2V
  温度范围:-40°C 至 +95°C
  刷新模式:自刷新

特性

MT40A512M16LY-062E:E 芯片具有以下主要特性:
  1. 支持 DDR4 接口协议,提供高达 2666 MT/s 的数据传输速率,确保快速的数据交换能力。
  2. 使用 FBGA 封装技术,适合高密度电路板设计,同时提高了信号完整性和可靠性。
  3. 集成了多种省电模式,例如深度掉电模式,能够显著降低待机功耗。
  4. 具备自动刷新和自刷新功能,可维持存储数据的完整性而无需主机干预。
  5. 工作电压为 1.2V,相比前代产品进一步降低了功耗需求。
  6. 提供了更高的抗噪声能力和更稳定的时钟信号,从而提升了系统的整体性能。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和数据中心内存模块,满足大规模数据处理需求。
  2. 网络路由器和交换机中的缓存系统,提供快速的数据访问速度。
  3. 高性能计算 (HPC) 平台,助力复杂的科学运算任务。
  4. 工业控制设备及嵌入式系统中作为主存储器使用。
  5. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的内存扩展解决方案。

替代型号

MT40A512M16LY-083E:E, MT40A512M16HZ-062E:E

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MT40A512M16LY-062E:E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥63.20000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织512M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(7.5x13.5)