VND7020AJTR-E 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道场效应晶体管(N-MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 PowerSSO-16,能够有效提高散热性能并降低寄生电感,从而提升系统效率。
这款 MOSFET 的典型应用场景包括 DC/DC 转换器、开关电源、负载开关以及电机控制等。通过优化的芯片设计,VND7020AJTR-E 可以在高频工作条件下提供卓越的性能和可靠性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:50A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):30nC
输入电容(典型值):1890pF
总功耗:150W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
VND7020AJTR-E 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以显著减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高额定电流能力,支持高达 50A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
3. 快速开关特性,栅极电荷小,可实现高频操作。
4. 强大的热性能,得益于 PowerSSO-16 封装设计,确保长时间稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
VND7020AJTR-E 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 通信电源和分布式电源系统的功率转换模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和控制电路。
VND7020AJTR, VND7020AKTR, VND7020ALTR