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MT40A2G8JC-062E:E 发布时间 时间:2025/6/14 14:53:32 查看 阅读:3

MT40A2G8JC-062E:E 是一款由 Micron(镁光)生产的 DDR4 SDRAM 内存颗粒。该芯片主要用于构建高性能计算系统、服务器、网络设备以及其他需要高速数据传输和大容量存储的应用场景。
  这款芯片采用先进的制造工艺,具有高带宽、低功耗以及稳定的性能表现,支持 JEDEC 标准的 DDR4 规范,确保与主流平台的兼容性。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:2Gb (256M x 8)
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666 Mbps
  I/O 宽度:8位
  封装类型:FBGA
  引脚数:78-ball
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  刷新模式:自刷新

特性

MT40A2G8JC-062E:E 提供了出色的性能表现和可靠性。其主要特点包括:
  1. 支持高达 2666 Mbps 的数据传输速率,满足现代计算对高带宽的需求。
  2. 使用 1.2V 工作电压,相比早期的 DDR3 芯片显著降低功耗。
  3. 高密度封装设计,适合构建高容量内存模块。
  4. 具备 ECC 错误校验功能选项,提升数据完整性和系统稳定性。
  5. 符合 JEDEC DDR4 标准规范,易于集成到现有硬件架构中。
  6. 广泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和数据中心:
   - 提供高容量、高性能的内存解决方案。
  2. 工业控制和嵌入式系统:
   - 在要求稳定性和可靠性的环境中使用。
  3. 网络通信设备:
   - 包括路由器、交换机等,需要快速处理大量数据流。
  4. 高端消费类电子产品:
   - 如游戏主机或高性能笔记本电脑。

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MT40A2G8JC-062E:E产品

MT40A2G8JC-062E:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量16Gb
  • 存储器组织2G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间19 ns
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-FBGA(9x11)