H9HKNNNDGUMUBR 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4X系列,适用于需要高带宽和低功耗的便携式设备,如智能手机、平板电脑和高性能计算设备。这款芯片以其卓越的性能和节能特性,广泛应用于现代电子设备中。
类型:LPDDR4X SDRAM
容量:8GB(64Gb)
数据速率:4266Mbps
电压:1.1V(核心电压),1.8V(I/O电压)
封装形式:FBGA
封装尺寸:134-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9HKNNNDGUMUBR 的 LPDDR4X 技术使其能够在保持高数据传输速率的同时,显著降低功耗,这在移动设备和便携式电子产品中尤为重要。其4266Mbps的数据速率可以提供出色的内存带宽,从而支持高性能计算任务,例如4K视频播放、大型游戏和多任务处理。
该芯片采用先进的制造工艺,确保了稳定性和可靠性,同时支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,这使得设备在待机状态下也能保持较低的能耗。
此外,H9HKNNNDGUMUBR 还具备出色的热管理能力,能够在较高的工作温度下正常运行,适应各种复杂的工作环境。它的134-ball FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还确保了与主板的高兼容性。
H9HKNNNDGUMUBR 被广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、嵌入式系统和高性能计算设备。由于其低功耗和高带宽的特性,这款内存芯片非常适合用于需要快速数据处理和长时间续航的设备。例如,在智能手机中,它可以支持多任务处理、大型游戏和高质量视频播放,同时不会显著影响电池寿命。在工业和嵌入式系统中,它能够提供稳定的内存性能,适合在各种严苛环境下运行。
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