MGA-30689-TR1G是一款由Avago Technologies(安华高)推出的高性能GaAs(砷化镓)pHEMT(伪高电子迁移率晶体管)低噪声放大器(LNA),主要用于无线通信系统中的射频前端应用。该器件采用安华高的先进pHEMT工艺制造,具备高增益、低噪声系数和良好的线性性能。MGA-30689-TR1G特别适用于3G、4G LTE、Wi-Fi、蜂窝通信和无线基础设施设备,工作频率范围广泛,适用于多种射频前端设计场景。
类型:低噪声放大器(LNA)
制造工艺:GaAs pHEMT
工作频率范围:50 MHz 至 6 GHz
增益:典型值为20 dB(频率相关)
噪声系数:典型值为0.45 dB(在2 GHz时)
输出IP3:典型值为+33 dBm
电源电压:3.0 V 至 6.0 V 可调
电源电流:典型值为40 mA(可调)
封装类型:SOT-363(6引脚)
输入/输出阻抗:50 Ω(典型)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MGA-30689-TR1G具有多个显著的技术特性,使其在无线通信应用中表现出色。首先,该器件具有宽频带操作能力,可在50 MHz至6 GHz范围内提供稳定的性能,适合多频段和宽带系统应用。其次,其低噪声系数(在2 GHz时典型值为0.45 dB)确保了在接收路径中最大限度地减少信号噪声,提高接收机的灵敏度。此外,该放大器具有较高的线性度,输出三阶交调截距点(IP3)高达+33 dBm,使得其在高信号强度环境下仍能保持良好的信号完整性。
该LNA的电源电压范围为3.0 V至6.0 V,允许设计者根据系统需求进行灵活的电源管理。同时,其典型的电源电流为40 mA,并支持电流调节功能,有助于优化功耗,适用于电池供电或低功耗系统设计。MGA-30689-TR1G还具备良好的输入/输出匹配特性,典型输入和输出阻抗为50 Ω,减少了对外部匹配电路的依赖,简化了电路设计并降低了整体成本。
该器件采用SOT-363六引脚小型封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局。此外,MGA-30689-TR1G的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件,保证在各种恶劣环境下仍能稳定运行。
MGA-30689-TR1G广泛应用于多种无线通信系统,包括但不限于以下领域:
1. 3G/4G LTE基站和用户终端设备:作为射频接收前端的低噪声放大器,提升接收灵敏度。
2. Wi-Fi接入点和客户端设备:用于2.4 GHz和5 GHz频段的无线信号接收增强。
3. 蜂窝通信模块:适用于多频段通信系统,如NB-IoT、Cat-M等低功耗广域网技术。
4. 宽带无线接入系统:支持50 MHz至6 GHz范围内的多种调制格式和频段。
5. 测试与测量设备:作为高性能射频前端放大器,提升测试精度。
6. 工业与物联网(IoT)通信设备:适用于高稳定性、低功耗的无线数据传输场景。
AMMP-6401-TR1P、BGA7222、BFU730F、MGA-81563