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MT31B104K101CT 发布时间 时间:2025/6/6 18:37:53 查看 阅读:28

MT31B104K101CT 是一款高性能、低功耗的 DDR3L 内存颗粒,主要应用于消费电子、网络设备和嵌入式系统等领域。该内存颗粒采用先进的工艺制程,支持高速数据传输和较低的工作电压,从而降低整体系统的能耗。其高可靠性和稳定性使其成为许多现代电子设备的理想选择。
  DDR3L(Low Voltage)技术以其更小的封装尺寸和更低的功耗而著称,广泛适用于对功耗敏感的场景。

参数

类型:DRAM
  存储容量:4 Gb
  数据宽度:x8
  工作电压:1.35V
  速度:1600 Mbps
  封装形式:FBGA
  引脚数:78
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据接口:DDR3L

特性

MT31B104K101CT 提供了卓越的性能表现,支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率,确保高效的系统运行能力。
  它采用了 FBGA 封装,具有良好的电气特性和机械稳定性,同时占用较小的 PCB 面积。
  作为 DDR3L 类型的内存颗粒,其工作电压仅为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更节能。
  此外,该芯片具备快速的数据访问能力和低延迟特性,能够满足现代应用对高速数据处理的需求。

应用

MT31B104K101CT 广泛应用于各类需要大容量、低功耗内存的领域,例如平板电脑、智能手机、路由器、交换机以及其他嵌入式设备。
  它也常用于工业自动化控制设备和医疗仪器中,以提供稳定可靠的内存支持。
  在物联网(IoT)领域,这款内存颗粒可用于网关设备和边缘计算节点,帮助实现高效的数据管理和处理。

替代型号

MT31B104K101CQ, MT31B104K101CW

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MT31B104K101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.38157卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-