MT31B104K101CT 是一款高性能、低功耗的 DDR3L 内存颗粒,主要应用于消费电子、网络设备和嵌入式系统等领域。该内存颗粒采用先进的工艺制程,支持高速数据传输和较低的工作电压,从而降低整体系统的能耗。其高可靠性和稳定性使其成为许多现代电子设备的理想选择。
DDR3L(Low Voltage)技术以其更小的封装尺寸和更低的功耗而著称,广泛适用于对功耗敏感的场景。
类型:DRAM
存储容量:4 Gb
数据宽度:x8
工作电压:1.35V
速度:1600 Mbps
封装形式:FBGA
引脚数:78
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据接口:DDR3L
MT31B104K101CT 提供了卓越的性能表现,支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率,确保高效的系统运行能力。
它采用了 FBGA 封装,具有良好的电气特性和机械稳定性,同时占用较小的 PCB 面积。
作为 DDR3L 类型的内存颗粒,其工作电压仅为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更节能。
此外,该芯片具备快速的数据访问能力和低延迟特性,能够满足现代应用对高速数据处理的需求。
MT31B104K101CT 广泛应用于各类需要大容量、低功耗内存的领域,例如平板电脑、智能手机、路由器、交换机以及其他嵌入式设备。
它也常用于工业自动化控制设备和医疗仪器中,以提供稳定可靠的内存支持。
在物联网(IoT)领域,这款内存颗粒可用于网关设备和边缘计算节点,帮助实现高效的数据管理和处理。
MT31B104K101CQ, MT31B104K101CW