时间：2025/6/21 0:46:34
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IRLM110A 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET，由英飞凌（Infineon）生产。该器件采用小型化封装设计，非常适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为消费电子、工业控制以及汽车应用的理想选择。
这款 MOSFET 支持高达 30V 的工作电压，并且具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极-源极电压（Vgs(th)）：1V~2.5V
总功耗：69W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLM110A 的主要特点是其超低的导通电阻（8.5mΩ），这在大电流应用中可以显著减少导通损耗。
此外，该器件支持低至 1V 的栅极驱动电压，使得其非常适合使用电池供电或低压逻辑信号驱动的场合。
其快速开关能力可实现高频应用，同时具备较低的输入和输出电容，有助于进一步降低开关损耗。
另外，由于其封装为 TO-252 (DPAK)，该器件具备良好的散热性能和较高的功率处理能力。
IRLM110A 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC/DC 转换器中的功率开关
3. 电机驱动和负载切换
4. 电池保护电路
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案
7. 消费类电子产品中的电源管理单元
IRLZ44N, IRL540N, FDP5502
