容量：1Gb（128MB）
　　电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：16位并行I/O
　　读取速度：最大50ns
　　写入速度：最大50ns
　　擦除时间：典型值3ms
　　工作温度：-40°C至+85°C

MT29F1G16ABBHC:B NAND闪存芯片具备多项显著特性。首先，它具有高容量和宽数据总线（16位），使其能够支持高速数据访问，适用于需要大量数据存储和快速读写的应用场景。其次，该芯片支持页编程和块擦除操作，提供了高效的存储管理方式。此外，MT29F1G16ABBHC:B 设计有错误检测和纠正功能，增强了数据的可靠性。这款芯片还支持多种命令集，如ONFI（Open NAND Flash Interface），便于与主控器进行通信。在功耗方面，MT29F1G16ABBHC:B 优化了工作电流和待机电流，适合电池供电设备使用。最后，其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于PCB布局和焊接。
　　此外，该芯片具有较长的擦写寿命，支持10万次以上的擦写周期，适合高负载应用。美光科技还为这款芯片提供了全面的技术支持和长期供货保障，确保其在工业和消费类市场中的稳定性。

MT29F1G16ABBHC:B 主要用于各种嵌入式存储设备和便携式电子产品。例如，它常见于USB闪存盘、SD卡、CF卡等存储介质中，也广泛应用于固态硬盘（SSD）的低端型号。此外，该芯片可用于工业控制设备、车载导航系统、医疗设备和消费类电子产品（如智能电视和游戏机）中的固件存储和数据缓存。由于其宽温工作范围（-40°C至+85°C），MT29F1G16ABBHC:B 也适用于户外和工业环境中的可靠存储需求。同时，该芯片的高可靠性和长寿命使其成为需要长期数据存储和频繁写入的嵌入式系统的理想选择。

MT29F1G16ABBEA, K9F1G08U0D