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MT29E3T08EUHBBM4-3:B 发布时间 时间:2025/10/22 16:23:28 查看 阅读:8

MT29E3T08EUHBBM4-3:B是美光(Micron)公司推出的一款高性能、高密度的NAND闪存芯片,属于其Serial NAND产品系列。该器件采用先进的封装技术和可靠的浮栅技术制造,专为需要大容量、低功耗和小尺寸存储解决方案的应用场景设计。MT29E3T08EUHBBM4-3:B支持串行外设接口(SPI),具备8Gb(1GB)的存储容量,以单电压1.8V供电运行,适用于嵌入式系统中对空间和功耗敏感的设计。该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、物联网终端以及网络通信设备中,作为代码存储、数据记录或固件保存的非易失性存储介质。MT29E3T08EUHBBM4-3:B采用WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)形式,具有极小的物理 footprint,适合便携式设备和高密度PCB布局需求。此外,该器件集成了ECC(错误校正码)功能,在读写过程中可自动检测并纠正位错误,提升了数据可靠性与系统稳定性。美光还为其提供长期供货保证,适合工业级和汽车级应用场景。该型号后缀中的‘-3:B’表示其速度等级和可靠性标准符合特定工业规范,工作温度范围通常为-40°C至+85°C,满足严苛环境下的稳定运行要求。整体而言,MT29E3T08EUHBBM4-3:B是一款兼顾性能、可靠性和集成度的串行NAND闪存器件,是现代嵌入式系统中理想的存储选择之一。

参数

品牌:Micron(美光)
  型号:MT29E3T08EUHBBM4-3:B
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:Serial SPI (Quad I/O)
  存储容量:8 Gb (1 GB)
  电源电压:1.8 V ± 0.15 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)
  时钟频率:最高支持50 MHz
  编程/擦除耐久性:典型值10万次
  数据保持时间:典型值10年(在+85°C下)
  ECC支持:片内硬件ECC引擎
  可靠性等级:工业级
  工艺技术:32nm浮栅工艺

特性

MT29E3T08EUHBBM4-3:B具备多项先进特性,使其在同类串行NAND产品中脱颖而出。首先,它采用了高效的串行SPI接口,支持标准、双I/O和四I/O(QPI)模式,显著提升了数据传输效率,同时减少了引脚数量和PCB布线复杂度。相比传统的并行NAND,该芯片在保持较高吞吐量的同时大幅节省了空间和成本。其次,该器件内置了强大的错误校正机制(ECC),可在每次读取操作中动态检测和纠正多位错误,确保在恶劣环境或长期使用中仍能维持数据完整性。此外,MT29E3T08EUHBBM4-3:B支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度断电模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。在安全性方面,该芯片提供了软件和硬件保护机制,防止意外写入或擦除操作,保障关键数据不被篡改。其擦除操作分为块擦除和页擦除两种方式,灵活适应不同应用的数据管理策略。器件还具备出色的抗干扰能力和电磁兼容性,适合部署在高噪声工业环境中。值得一提的是,该芯片通过了AEC-Q100等可靠性认证,部分版本可用于车载信息娱乐系统等汽车电子应用。美光提供的配套软件工具和驱动程序进一步简化了系统集成过程,缩短产品开发周期。整体设计注重长期可用性和供应链稳定性,适合需要多年生命周期支持的项目。
  此外,MT29E3T08EUHBBM4-3:B在制造过程中采用了堆叠封装(PoP)兼容设计,便于与处理器或SoC共同集成于紧凑型模块中。其出厂时已进行老化筛选和测试,确保每颗芯片都达到标称性能指标。固件层面支持TRIM命令和坏块管理,提升存储效率和寿命。对于需要安全启动功能的系统,该芯片可配合主控实现可信执行环境(TEE)的数据存储。总体来看,这些特性共同构成了一个高可靠性、高集成度、易于使用的嵌入式存储解决方案,特别适合智能仪表、医疗监控设备、边缘计算节点等对稳定性要求较高的领域。

应用

MT29E3T08EUHBBM4-3:B广泛应用于多个高科技领域。在消费电子方面,常用于智能手表、无线耳机、智能家居中枢等小型化设备中,用于存储操作系统、用户配置和固件更新包。在工业自动化领域,该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面和传感器节点中,实现运行日志记录与参数持久化存储。在物联网(IoT)设备中,如LoRa网关、NB-IoT终端和远程抄表装置,其低功耗特性和宽温工作能力确保了在无人值守环境下长期稳定运行。网络通信设备如路由器、交换机和光模块也采用该芯片来存放引导程序和配置文件。此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载导航模块、ADAS辅助驾驶系统的数据缓存单元以及车联网(V2X)通信模块中。医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和超声探头同样受益于其高可靠性和小体积优势。教育类电子白板、电子书阅读器和条码扫描器等商用设备也将其作为主要的非易失性存储介质。得益于其工业级温度范围和抗振动设计,该芯片还可用于航空航天和轨道交通等极端环境下的嵌入式系统。整体而言,凡是对尺寸、功耗和数据可靠性有较高要求的应用场景,MT29E3T08EUHBBM4-3:B均是一个理想的选择。

替代型号

MT29F32G01ABAGDWB-IT:A
  IS25LP064C-JBLE
  W25N01GVZEIG

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量3Tb
  • 存储器组织384G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-