时间：2025/6/29 10:13:24
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MT21N471J101CT是一款高性能的MOSFET功率器件，采用先进的制造工艺，适用于各种需要高效开关和低功耗的应用场景。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高电流承载能力的电子系统中。
这款MOSFET以低导通电阻（Rds(on)）为特点，能够在高频开关条件下保持较低的功率损耗，从而提升整体系统的效率。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-247
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，可承受高达47A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和优化的内部结构。
4. 广泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准，支持环保设计要求。
6. 紧凑且坚固的TO-247封装形式，简化了PCB布局并增强了散热性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 直流电机驱动电路中的功率级元件。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节单元。
6. 汽车电子系统中的大电流负载控制组件。
IRF7844PbF, STW14NM10K5, FDP5800
