型号：DMP1555UFA-7B
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8A
　　最大功耗（PD）：1.5W
　　导通电阻RDS(on)：-45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：-60mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF @ VDS = -10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = -10V
　　输出电容（Coss）：290pF @ VDS = -10V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　上升时间（tr）：9ns
　　下降时间（tf）：7ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020-6 (PMHT)
　　安装方式：表面贴装
　　符合RoHS标准：是
　　AEC-Q101认证：是

DMP1555UFA-7B采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，特别适用于对效率和空间要求严苛的应用场景。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，在同类P沟道器件中处于领先水平，显著降低了导通损耗，提升了整体系统能效。同时，该器件在低至-2.5V的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻（60mΩ），支持逻辑电平控制，兼容3.3V或更低电压的数字输出接口，无需额外电平转换电路即可实现高效驱动。
　　该器件具有出色的电容特性，输入电容（Ciss）为330pF，反向传输电容（Crss）仅为50pF，这不仅减少了高频开关过程中的驱动功率需求，还有效抑制了米勒效应引起的误触发风险，提高了在高速开关应用中的稳定性。开关时间方面，开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为18ns，配合快速的上升和下降时间（分别为9ns和7ns），确保了卓越的动态响应能力，适合用于高频DC-DC变换器和同步整流等场合。
　　热性能方面，DMP1555UFA-7B采用DFN2020-6封装，底部带有散热焊盘，能够通过PCB有效散热，提升功率处理能力。在标准JEDEC测试板条件下，其最大功耗可达1.5W，结温范围覆盖-55°C至+150°C，满足工业级及部分汽车级应用需求。此外，器件内置的体二极管具有较低的反向恢复时间与软恢复特性，有助于减少开关瞬态应力，提高系统可靠性。综合来看，DMP1555UFA-7B是一款兼具高性能、小型化与高可靠性的P沟道MOSFET，非常适合现代便携式电子设备和高集成度电源模块的设计需求。

DMP1555UFA-7B广泛应用于多种电源管理和功率控制领域，尤其适用于需要紧凑尺寸和高效率的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关和电源路径管理，利用其低导通电阻和快速响应能力，实现对外设或模块的精确上电控制，避免浪涌电流影响系统稳定。此外，该器件可用于电池供电系统的反向极性保护电路，作为高端或低端开关，防止电池反接损坏后级电路。
　　在DC-DC转换器拓扑中，DMP1555UFA-7B常被用作同步整流器或主开关元件，特别是在降压（Buck）转换器中，其低RDS(on)和快速开关特性有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体转换效率。对于需要逻辑电平驱动的微控制器接口电路，该MOSFET可以直接由GPIO引脚驱动，省去额外的驱动芯片，简化设计并降低成本。
　　由于该器件通过了AEC-Q101车规认证，因此也可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、传感器电源管理、LED照明控制和车身控制模块等环境温度变化大、可靠性要求高的场合。此外，它还可用于USB电源开关、热插拔控制器、电机驱动电路以及各类消费类电子产品中的电源多路复用和隔离控制。得益于其小型化封装和高功率密度，DMP1555UFA-7B成为高集成度PCB设计的理想选择，尤其适合空间受限但性能要求较高的应用场景。

DMG2305UW-7
　　DMP2005UFG-7
　　AOZ5205P