IRFS7537是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,适用于高频开关应用和高效率的电源转换。该器件具有极低的导通电阻和栅极电荷,能够实现高效的功率转换,并且支持高频率操作。其封装形式为TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺。
IRFS7537主要应用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动以及电池充电器等场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:49A
导通电阻:1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:28nC(典型值)
输入电容:1600pF(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRFS7537采用了先进的Trench MOSFET技术,具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷和输出电容,有助于降低开关损耗。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的耐用性。
5. 通过AEC-Q101认证,适合汽车级应用。
6. 表面贴装封装设计,简化了PCB布局和生产流程。
这些特点使得IRFS7537非常适合用于要求高效率、小体积和高可靠性的电力电子应用。
IRFS7537广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的DC-DC转换器和同步整流电路。
2. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
3. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
4. 通信电源和服务器电源中的高效功率转换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
由于其出色的性能和可靠性,IRFS7537成为许多高性能功率转换应用的理想选择。
IRF7737, AO3402A