时间：2025/9/1 15:01:06
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IS61DDB21M18A-300B4L 是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的同步双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件具有高性能和高可靠性的特点，适用于需要高速数据访问和数据共享的场合。IS61DDB21M18A-300B4L 采用先进的CMOS工艺制造，确保了其在高频操作下的稳定性和低功耗特性。
容量：256K x 18位
组织结构：256K地址 x 18位数据
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：3.0 ns
最大工作频率：166 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165引脚 BGA
接口类型：Synchronous
功耗（典型值）：100 mA
封装尺寸：14 mm x 22 mm
IS61DDB21M18A-300B4L 的主要特性包括高速访问时间（最大3.0 ns）和高达166 MHz的工作频率，使其适用于高性能系统设计。该SRAM采用同步接口，支持突发模式操作，提高了数据传输效率。此外，其低功耗设计使其在高频率工作时仍能保持较低的功耗水平。该器件支持自动刷新和深度睡眠模式，进一步降低了功耗，适用于便携式设备和低功耗应用。IS61DDB21M18A-300B4L 还具备高可靠性和抗干扰能力，适用于工业和通信领域。
该SRAM的双端口架构允许两个独立的端口同时访问存储器，每个端口都有独立的地址和数据总线，使得数据共享和并发访问成为可能。这种特性在需要多处理器或多个主控设备共享数据的应用中非常有用。此外，该器件具有较宽的温度范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣环境下的工业应用。
IS61DDB21M18A-300B4L 主要应用于网络设备、通信系统、测试设备、工业控制、数据采集系统以及高性能嵌入式系统。由于其高速和低功耗特性，它特别适用于需要快速数据处理和缓存的场合，如路由器、交换机、通信模块和高性能数据采集设备。此外，该SRAM也可用于多处理器系统中的共享内存，提供高效的多任务处理能力。
IS61DDB21M18A-300B4I、IS61LV25618A-300B4L
