时间：2025/8/6 8:23:50
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IXFN260N17T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道 MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。这款器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和高效率，适合用于电源转换、电机控制、工业自动化和新能源系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：260 A
最大漏极-源极电压（VDS）：1700 V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：典型值 23 mΩ
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-264
IXFN260N17T 具备一系列优越的电气和热性能，适用于高功率密度设计。其主要特性包括：先进的沟槽式功率 MOSFET 技术提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件具有高击穿电压（1700 V），能够承受高电压应用中的极端工作条件。其封装形式（TO-264）提供了良好的散热性能，有助于在高电流工作环境下保持器件温度在安全范围内。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20 V，确保了与多种驱动电路的兼容性。同时，其低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，从而提高整体能效。IXFN260N17T 还具备出色的短路耐受能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。
热管理方面，该器件设计有良好的热传导路径，能够在高负载条件下保持稳定运行。其最大工作温度为 150°C，表明其在高温环境中的耐用性和稳定性。此外，该 MOSFET 符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合用于绿色电子设备的设计。
IXFN260N17T 适用于多种高功率和高电压场景，包括但不限于：工业电源系统，如不间断电源（UPS）和电焊机；可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统；电机驱动器和变频器；以及电动汽车（EV）充电设备。在这些应用中，该器件的高效能和高可靠性能够显著提升系统性能和稳定性。
IXYS IXFN260N17P；Infineon FF260R12KE4；STMicroelectronics STY22NM60N
