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DNLS412E-13 发布时间 时间:2025/7/10 4:25:09 查看 阅读:10

DNLS412E-13是一款高性能的双路低压差线性稳压器(LDO),专为需要高精度电压输出和低功耗的应用而设计。该芯片采用了先进的CMOS工艺,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压。其主要特点包括高纹波抑制比、快速瞬态响应以及超低的静态电流,非常适合便携式设备和其他对电源效率要求较高的应用。
  DNLS412E-13具有内置的过流保护和过温保护功能,确保在异常工作条件下的可靠性。此外,该器件支持使能引脚控制,允许用户根据需求灵活地开关稳压器以进一步降低系统功耗。

参数

输入电压范围:1.8V~5.5V
  输出电压范围:0.8V~3.3V
  最大输出电流:300mA
  静态电流:1uA(典型值)
   dropout电压:120mV(@300mA)
   PSRR:60dB(@1kHz)
   工作温度范围:-40℃~+125℃
   封装形式:SOT-23,DFN3*3

特性

1. 高达300mA的负载能力,满足大多数嵌入式系统的供电需求。
  2. 极低的静态电流,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  3. 内置短路保护和热关断机制,增强芯片的可靠性和安全性。
  4. 提供精确的输出电压调节,误差小于±1%。
  5. 支持快速负载瞬态响应,能够有效应对动态负载变化。
  6. 使能引脚设计简化了待机模式下的功耗管理。
  7. 超小型封装选项适合空间受限的设计环境。

应用

DNLS412E-13适用于多种电子设备中的电源管理场景,包括但不限于:
  1. 便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  2. 物联网(IoT)模块和传感器节点。
  3. 无线通信设备,例如蓝牙模块、Wi-Fi路由器等。
  4. 医疗健康设备,如脉搏血氧仪、血糖仪。
  5. 工业自动化仪表与监控系统。
  6. GPS导航装置及其他低功耗电子系统。

替代型号

AP2112K-3.3TRG1
  LM1117-3.3
  NCP1117ST33T1G

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DNLS412E-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)400 @ 3A,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DNLS412E-13-NDDNLS412EDITR