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MT18N331J500CT 发布时间 时间:2025/6/3 16:52:46 查看 阅读:4

MT18N331J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号专为高功率应用设计,具有较低的导通电阻和出色的开关性能。其封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装,能够有效散发热量,适合工业、汽车和消费类电子设备中的功率转换和负载切换应用。
  这款 MOSFET 的额定电压高达 500V,使其非常适合高压电路环境,同时具备较高的电流处理能力。它的低栅极电荷特性也使得开关损耗得以降低,从而提高整体效率。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:3.3A
  导通电阻:6.5Ω
  栅极电荷:45nC
  总功耗:29W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

MT18N331J500CT 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 较低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低开关损耗并提升效率。
  4. 快速开关速度,适用于高频功率转换应用。
  5. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且支持多种工业要求。

应用

MT18N331J500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电动车及混合动力车中的功率管理系统。
  5. LED 照明驱动器。
  6. 电池保护和充电管理模块。
  7. 其他需要高电压和大电流处理能力的场景。

替代型号

MT18N331J500GT, IRF540N, FQP17N50

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MT18N331J500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13984卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-