MA0402CG271F160 是一款高性能的射频前端模块 (RF FEM),广泛应用于无线通信设备中。该模块集成了功率放大器 (PA)、低噪声放大器 (LNA)、开关和滤波器,能够显著提高信号传输效率和接收灵敏度。其设计特别针对 4G 和 5G 应用进行了优化,适用于小型基站、CPE 和物联网设备等场景。
这款芯片采用了先进的 CMOS 工艺制造,具有高集成度、低功耗和紧凑封装的特点,极大地简化了系统设计并减少了整体物料清单成本。
型号:MA0402CG271F160
工作频率范围:3.3 GHz 至 3.8 GHz
输出功率(Pout):27 dBm
增益:22 dB
线性度(OIP3):40 dBm
噪声系数:1.5 dB
电源电压:3.3V
电流消耗:典型值 350 mA
封装形式:QFN 4x4 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MA0402CG271F160 的主要特性包括:
1. 高输出功率与线性度相结合,能够在宽带应用中提供卓越的性能。
2. 内置高效滤波器,有效减少带外干扰并提升信号纯净度。
3. 采用 QFN 封装,体积小且易于安装,非常适合对空间要求较高的应用。
4. 支持多种调制方式,兼容主流通信协议。
5. 具备出色的热管理和可靠性,适合长时间运行。
6. 内部集成旁路模式控制功能,便于灵活配置。
7. 提供良好的 ESD 保护机制,增强芯片的耐用性。
该芯片的主要应用场景包括:
1. 4G LTE 和 5G NR 小型基站
2. 室内和室外客户终端设备 (CPE)
3. 物联网网关和传感器节点
4. 无线回传设备
5. 车载通信系统
6. 智能家居和工业自动化领域的无线模块
MA0402CG271F160 凭借其高效的射频性能和灵活性,能够满足多种现代无线通信需求。
MA0402CG261F160, MA0401CG271F160