时间：2025/8/1 14:37:26
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CS5N65A3HDY 是一款由ONSEMI（安森美半导体）设计的高电压、高效率功率MOSFET，专为高性能电源转换应用而优化。该器件采用先进的Super Junction（超级结）技术，能够在高电压下实现低导通电阻和快速开关特性，适用于诸如开关电源（SMPS）、适配器、充电器和LED照明驱动器等应用。CS5N65A3HDY 封装为TO-220-3，具有良好的热性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.85Ω
栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220-3
CS5N65A3HDY 的核心优势在于其采用Super Junction技术，显著降低了导通损耗，同时具备快速的开关速度，有助于提升系统效率并减少散热需求。
该器件的低栅极电荷（Qg）确保了在高频开关应用中的性能优势，降低开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
其高击穿电压能力（650V）使其能够在高电压输入条件下稳定运行，具备良好的抗雪崩能力，提高了系统的稳定性和可靠性。
此外，CS5N65A3HDY 的封装设计具备良好的热管理能力，有助于在高功率应用中有效散热，延长使用寿命。
CS5N65A3HDY 主要应用于各类高电压、中低功率的开关电源系统，包括但不限于：
1. 电源适配器和充电器（如笔记本电脑、智能手机等）
2. LED照明驱动电路
3. 工业自动化和控制系统中的电源模块
4. 电信和网络设备中的DC-DC转换器
5. 家用电器中的功率控制电路
该器件的高效率和快速开关特性使其成为现代高效能电源设计的理想选择。
FQP5N65C, STW5N65M2, 5N65CFD, IPA50R650CE
