时间：2025/7/2 12:47:45
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MT18N220J500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 器件，采用 TO-247 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适用于高功率应用场合，例如开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
该器件的设计注重效率和可靠性，其出色的电气性能使得它成为工业和汽车电子领域的理想选择。
型号：MT18N220J500CT
封装：TO-247
最大漏源电压（Vds）：1200 V
最大栅极源极电压（Vgs）：±20 V
最大连续漏极电流（Id）：50 A
导通电阻（Rds(on)）：0.06 Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗（Ptot）：375 W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
热阻（结到壳）：0.6 ℃/W
MT18N220J500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压（Vds），能够承受更高的电压应力，适用于高压环境。
3. 快速开关能力，降低开关损耗，适合高频应用场景。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
5. 可靠的热性能设计，确保在高功率应用中的长期稳定性。
6. 宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
7. 内置反向恢复电荷优化，减少开关过程中的能量损失。
MT18N220J500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于功率转换模块以实现高效能源管理。
2. 电机驱动：控制大功率电机的启动、停止及速度调节。
3. 逆变器：为太阳能发电系统提供高效的直流到交流转换功能。
4. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器等。
5. 电动车和混合动力汽车的电力管理系统。
6. DC-DC 转换器：实现不同电压等级之间的高效转换。
7. 其他需要高功率、高电压控制的电子设备。
MT18N220J400CT, IRFP260N, STP50NF12W
