MT18N220J500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 器件,采用 TO-247 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,适用于高功率应用场合,例如开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
该器件的设计注重效率和可靠性,其出色的电气性能使得它成为工业和汽车电子领域的理想选择。
型号:MT18N220J500CT
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):1200 V
最大栅极源极电压(Vgs):±20 V
最大连续漏极电流(Id):50 A
导通电阻(Rds(on)):0.06 Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):375 W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
热阻(结到壳):0.6 ℃/W
MT18N220J500CT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压(Vds),能够承受更高的电压应力,适用于高压环境。
3. 快速开关能力,降低开关损耗,适合高频应用场景。
4. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
5. 可靠的热性能设计,确保在高功率应用中的长期稳定性。
6. 宽泛的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
7. 内置反向恢复电荷优化,减少开关过程中的能量损失。
MT18N220J500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于功率转换模块以实现高效能源管理。
2. 电机驱动:控制大功率电机的启动、停止及速度调节。
3. 逆变器:为太阳能发电系统提供高效的直流到交流转换功能。
4. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等。
5. 电动车和混合动力汽车的电力管理系统。
6. DC-DC 转换器:实现不同电压等级之间的高效转换。
7. 其他需要高功率、高电压控制的电子设备。
MT18N220J400CT, IRFP260N, STP50NF12W