CRS7910 时间：2025/9/13 13:06:18 阅读：13

CRS7910 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高效率功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。CRS7910 通常采用SOP-8或DFN等小型封装形式，适用于高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：最大10mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8 / DFN

特性

CRS7910 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；其次，器件支持较高的连续漏极电流（8A），适用于中高功率应用场景。
　　此外，CRS7910具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，方便集成到不同的功率电路中。
　　该器件还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、Buck/Boost变换器等。SOP-8或DFN封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合高密度电路板设计。
　　整体而言，CRS7910是一款性能稳定、功耗低、适用范围广的功率MOSFET，适合多种电源管理和功率控制应用。