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MT18B223K101CT 发布时间 时间:2025/6/14 11:49:33 查看 阅读:5

MT18B223K101CT是一款由Micron Technology生产的DDR3L SDRAM内存芯片。该芯片主要应用于低功耗需求的电子设备中,例如笔记本电脑、平板电脑以及嵌入式系统。DDR3L代表低电压版的DDR3内存,工作电压为1.35V,相较于标准DDR3内存的1.5V,能够显著降低功耗。
  这款芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装形式,具有高密度、高性能和低延迟的特点。其设计符合JEDEC DDR3L规范,确保了与各种主流平台的良好兼容性。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:2Gb (256M x 8)
  组织结构:8-bank architecture
  数据宽度:x8
  电压:1.35V
  速度:1600Mbps
  封装:FBGA
  I/O标准: SSTL-15
  温度范围:0°C 至 85°C

特性

MT18B223K101CT具备出色的性能和可靠性。它支持突发长度为4或8的数据传输模式,并通过On-Die Termination (ODT) 技术优化信号完整性。
  此外,该芯片还提供自动刷新和自刷新功能,能够在系统待机时保持数据完整。其低功耗特性非常适合对续航时间要求较高的移动设备。在数据处理方面,它支持差分时钟输入和数据选通机制,从而进一步提升数据吞吐量和准确性。
  该芯片的工作频率高达1600MHz,确保能够满足现代计算设备对高速数据传输的需求。同时,它的高密度存储能力使得单颗芯片即可实现较大的内存配置,减少了板级空间占用。

应用

MT18B223K101CT广泛应用于需要大容量和低功耗内存解决方案的场景。具体包括:
  1. 笔记本电脑及超极本:
   提供快速响应和高效性能,延长电池寿命。
  2. 平板电脑和其他移动设备:
   在紧凑的空间内实现强大的多媒体处理能力。
  3. 嵌入式系统:
   如工业自动化、医疗设备和通信基础设施等,这些领域对可靠性和低功耗有严格要求。
  4. 汽车电子:
   适用于车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS),确保实时数据处理。

替代型号

MT18B223K101D, MT18B223K101C

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MT18B223K101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.26016卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-