类型：GaN功率晶体管
　　漏源电压(VDS)：100V
　　漏极电流(ID)：40A
　　导通电阻(RDS(on))：7mΩ
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　栅极电荷(QG)：8.8nC
　　输入电容(Ciss)：1200pF
　　输出电容(Coss)：320pF
　　反向恢复时间(trr)：0ns
　　封装尺寸：12.7mm x 9.7mm x 3.1mm
　　极性：增强型

GN2012AINTE3D具有出色的高频开关性能，使其适用于高频电力电子转换器。该器件的导通电阻仅为7mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　由于采用氮化镓技术，该晶体管的开关损耗远低于传统硅基MOSFET，提高了整体系统的能效。此外，该器件没有反向恢复电荷（Qrr = 0），因此在硬开关和高频应用中表现优异。
　　该晶体管采用表面贴装封装（SMD），便于自动化生产和高密度PCB布局。其封装设计优化了热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　GN2012AINTE3D的栅极电荷（QG）仅为8.8nC，进一步降低了驱动电路的负担，有助于提高开关速度和系统响应能力。
　　其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业自动化、服务器电源和可再生能源系统。

GN2012AINTE3D广泛应用于需要高效率、高频开关性能的电力电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、服务器电源、工业电源、无线充电系统、光伏逆变器、电动汽车充电设备、电机驱动器和UPS（不间断电源）系统。
　　在服务器电源和通信电源系统中，该器件可显著提高电源转换效率并减小系统体积，满足高密度、高效能电源管理的需求。
　　在无线充电系统中，其高频特性能够支持更高的功率传输效率，并减少电磁干扰（EMI）。
　　在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能系统，GN2012AINTE3D可以提升系统整体能效，并支持更紧凑的设计方案。
　　此外，该器件还适用于高频谐振转换器（如LLC和CLLC拓扑），以实现零电压开关（ZVS）和更高的系统效率。

GS66508T, EPC2045, IAMF100R007T011-KSA1