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GA1206Y393MBABT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:00:44 查看 阅读:19

GA1206Y393MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频率下保持高效能运作。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其设计注重散热性能和电气稳定性,确保在恶劣环境下依然能够可靠运行。通过优化栅极电荷和阈值电压参数,该芯片显著降低了开关损耗,并提升了系统的整体效率。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):3800pF
  输出电容(Coss):110pF
  反向传输电容(Crss):105pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206Y393MBABT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和优化的栅极电荷,有效减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  5. 小型封装设计,便于PCB布局和散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制模块。
  6. 各种DC-DC转换器和升降压电路设计。

替代型号

IRFZ44N
  FDP170N10AE
  STP40NF06L

GA1206Y393MBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-