时间：2025/7/10 15:12:03
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MT18B104K160CT 是一款由 Micron（美光）生产的 4Mx16 的 DDR SDRAM 芯片，主要用于需要高带宽和快速数据访问的应用场景。该芯片符合 JEDEC 标准规范，支持多种时钟频率和工作模式，能够满足嵌入式系统、网络设备及消费电子等多种应用需求。
DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，能够在时钟信号的上升沿和下降沿分别传输数据，从而实现双倍的数据传输速率。
类型：DDR SDRAM
容量：4M x 16 bits (8MB)
工作电压：2.5V ± 0.2V
接口类型：TSOP II
时钟频率：最高 133MHz
数据传输速率：PC100 和 PC133 兼容
封装形式：60-ball FBGA
引脚数：60
工作温度范围：0°C 至 70°C
刷新模式：自动刷新和自刷新
MT18B104K160CT 提供了高密度和高性能的内存解决方案，适用于对速度和容量有较高要求的系统。其主要特性包括：
1. 双倍数据传输速率设计，在一个时钟周期内可以完成两次数据传输。
2. 支持突发长度为 2、4 和 8 的可配置操作。
3. CAS 延迟可设置为 2 或 2.5 个时钟周期，以优化性能与功耗之间的平衡。
4. 内置 DLL（延迟锁定环），确保精确的时序控制和数据对齐。
5. 支持低功耗模式，包括预充电和自刷新功能，降低整体功耗。
6. 符合 JEDEC 标准，易于与其他标准 DDR 设备兼容和互换。
7. 高可靠性设计，适合长时间运行的关键任务应用场景。
该芯片广泛应用于各种需要高效内存管理的领域，包括但不限于以下方面：
1. 嵌入式系统：如工业控制器、医疗设备等。
2. 网络设备：例如路由器、交换机和其他通信基础设施。
3. 消费电子产品：如数字电视、机顶盒和高端游戏设备。
4. 计算机周边设备：用于显卡、声卡等需要高速缓存的硬件组件。
5. 数据存储设备：在 RAID 控制器和其他存储相关设备中作为缓存使用。
MT46H16M4, H57D2G83AFR, IS42S16400J
