MT15N6R8D500CT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号由Microchip Technology公司生产,专为高效率和低功耗的应用场景设计。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的领域。
这款器件采用了先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统性能。其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):90nC
总功耗(Ptot):310W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
MT15N6R8D500CT具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))可有效减少传导损耗,提升整体能效。
2. 高速开关能力使得该器件非常适合高频应用场合。
3. 优化的栅极电荷设计减少了驱动损耗,进一步提高了系统的效率。
4. 大电流处理能力确保其能够在大功率应用场景中表现优异。
5. 良好的热稳定性允许其在极端温度范围内可靠工作。
6. 提供过热保护和短路耐受能力,增强了器件的安全性和耐用性。
7. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品的需求。
该MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC/DC适配器和充电器。
2. 电机控制和驱动,例如无刷直流电机控制器。
3. 工业自动化设备中的功率级控制。
4. 通信电源系统中的负载切换。
5. 新能源应用,如太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
6. 汽车电子中的各类功率转换模块。
MT15N6R8D300CT, IRF540N, FQP50N06L