类型：DRAM
　　容量：4Gbit
　　封装：FBGA
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　数据速率：1600Mbps
　　电压：1.35V / 1.5V

H5TC4G63AFRPBA具有多项显著的性能特性。首先，它采用了先进的工艺技术，使其在高速运行时依然能够保持较低的功耗，这对需要长时间运行的设备尤为重要。其低电压设计（1.35V / 1.5V）不仅降低了能耗，还有助于减少热量产生，提高系统稳定性。
　　其次，该芯片支持1600Mbps的数据传输速率，确保了在高负载应用中的快速响应和流畅运行。其4Gbit的存储容量可以满足大多数中高端应用的需求，尤其是在需要大量缓存或临时存储的场景下表现出色。
　　此外，H5TC4G63AFRPBA采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，这种封装方式提供了更小的封装尺寸和更高的引脚密度，有助于提高PCB布局的灵活性，并增强信号完整性。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、嵌入式系统和网络设备等领域。
　　最后，这款DRAM芯片具有良好的兼容性，可以轻松集成到现有的系统架构中，为设计工程师提供更高的灵活性。

H5TC4G63AFRPBA广泛应用于多种电子设备和系统中。其高性能和低功耗特性使其非常适合用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑以及高性能的可穿戴设备。此外，它也常用于嵌入式系统、工业控制设备和网络设备，如路由器、交换机和服务器模块，以支持高速数据处理和存储需求。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载导航系统，提供可靠的数据存储和处理能力。由于其宽温工作范围，H5TC4G63AFRPBA也非常适合用于需要在极端温度环境下运行的工业自动化设备和通信基础设施。

H5TC4G63AFR-PBA, H5TC4G63AFR, MT48LC16M16A2B4-6A