FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各类电源管理及功率转换场景。其额定电压为 25V,适用于需要高效功率处理的工业、消费电子以及通信领域。
FDB33N25TM 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和多相电源等。此外,其封装形式通常为表面贴装类型(如 SO-8 或 PowerPAK),便于现代 PCB 设计中的自动化装配。
最大漏源电压:25V
连续漏极电流:33A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:10nC(典型值)
总电容(Ciss):3200pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PowerPAK SO-8
功耗:约 6W(取决于散热条件)
FDB33N25TM 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),确保在高电流应用中降低导通损耗。
2. 高额定电流能力,支持高达 33A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,适用于高频应用。
4. 高可靠性设计,能够在宽温度范围内稳定运行,适应恶劣环境。
5. 表面贴装封装(PowerPAK SO-8),具备良好的热性能和电气性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。
7. 内置静电防护功能,提高器件在实际使用中的鲁棒性。
FDB33N25TM 可用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 多相降压转换器中的上桥臂或下桥臂 MOSFET。
4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
7. LED 照明系统的恒流驱动器。
由于其高效的功率处理能力和快速的开关速度,FDB33N25TM 在需要高性能功率转换的应用中表现出色。
FDP55N20,
FDS6670,
IRL3103PBF