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FDB33N25TM 发布时间 时间:2025/6/3 23:10:24 查看 阅读:4

FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各类电源管理及功率转换场景。其额定电压为 25V,适用于需要高效功率处理的工业、消费电子以及通信领域。
  FDB33N25TM 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和多相电源等。此外,其封装形式通常为表面贴装类型(如 SO-8 或 PowerPAK),便于现代 PCB 设计中的自动化装配。

参数

最大漏源电压:25V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:10nC(典型值)
  总电容(Ciss):3200pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PowerPAK SO-8
  功耗:约 6W(取决于散热条件)

特性

FDB33N25TM 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),确保在高电流应用中降低导通损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达 33A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,适用于高频应用。
  4. 高可靠性设计,能够在宽温度范围内稳定运行,适应恶劣环境。
  5. 表面贴装封装(PowerPAK SO-8),具备良好的热性能和电气性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。
  7. 内置静电防护功能,提高器件在实际使用中的鲁棒性。

应用

FDB33N25TM 可用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 多相降压转换器中的上桥臂或下桥臂 MOSFET。
  4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
  7. LED 照明系统的恒流驱动器。
  由于其高效的功率处理能力和快速的开关速度,FDB33N25TM 在需要高性能功率转换的应用中表现出色。

替代型号

FDP55N20,
  FDS6670,
  IRL3103PBF

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FDB33N25TM参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 16.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2135pF @ 25V
  • 功率 - 最大235W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDB33N25TMTR