时间：2025/6/3 23:10:24
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FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各类电源管理及功率转换场景。其额定电压为 25V，适用于需要高效功率处理的工业、消费电子以及通信领域。
FDB33N25TM 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和多相电源等。此外，其封装形式通常为表面贴装类型（如 SO-8 或 PowerPAK），便于现代 PCB 设计中的自动化装配。
最大漏源电压：25V
连续漏极电流：33A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：10nC（典型值）
总电容（Ciss）：3200pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PowerPAK SO-8
功耗：约 6W（取决于散热条件）
FDB33N25TM 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保在高电流应用中降低导通损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达 33A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，适用于高频应用。
4. 高可靠性设计，能够在宽温度范围内稳定运行，适应恶劣环境。
5. 表面贴装封装（PowerPAK SO-8），具备良好的热性能和电气性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
7. 内置静电防护功能，提高器件在实际使用中的鲁棒性。
FDB33N25TM 可用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 多相降压转换器中的上桥臂或下桥臂 MOSFET。
4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
7. LED 照明系统的恒流驱动器。
由于其高效的功率处理能力和快速的开关速度，FDB33N25TM 在需要高性能功率转换的应用中表现出色。
FDP55N20,
FDS6670,
IRL3103PBF
