时间：2025/7/10 15:07:55
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MT15N2R7C500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），由一家领先的半导体制造商生产。该器件适用于高频和高功率应用场合，其卓越的开关性能和低导通电阻使其在电源转换、射频放大器以及其他高性能电子系统中表现出色。
这款芯片采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能和可靠性，能够满足严苛的工作环境需求。它结合了氮化镓材料的固有优势，如高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率，为设计者提供了更高的效率和更小的解决方案尺寸。
型号：MT15N2R7C500CT
类型：GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：7mΩ
连续漏极电流(Id)：40A
脉冲漏极电流：80A
开关频率：最高可达5MHz
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高效开关性能：得益于氮化镓材料的独特属性，MT15N2R7C500CT能够在高频下实现极低的开关损耗。
2. 低导通电阻：仅为7mΩ的导通电阻使得该器件在大电流应用场景中表现出更低的功耗。
3. 耐高压能力：600V的最大漏源电压确保其能够在高压环境下稳定运行。
4. 高可靠性：经过严格的测试和验证，适合工业级和汽车级应用。
5. 紧凑型设计：相较于传统的硅基MOSFET，采用此器件可显著减小系统体积和重量。
6. 快速开关速度：支持高达5MHz的开关频率，非常适合高频AC-DC或DC-DC转换器设计。
1. 高频硬开关和软开关拓扑：
- LLC谐振转换器
- 图腾柱PFC
2. 射频功率放大器：
- 广播、雷达等高功率RF应用
3. 电动汽车：
- 逆变器
- 充电桩
4. 数据中心：
- 高效服务器电源
5. 工业设备：
- 大功率电机驱动
- 不间断电源(UPS)
MT15N2R8C500CT
STGAP25N65C
INF60R070MD1
