时间：2025/5/23 8:17:17
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SI9804DY-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装（如 SOT-23），具有低导通电阻和快速开关速度，适用于各种高效能功率转换应用。其出色的电气性能使其成为消费电子、通信设备以及工业控制领域中的理想选择。
该器件通过优化设计，能够显著降低功耗并提升效率，同时具备强大的抗静电能力以确保可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：57mΩ
总栅极电荷：6nC
输入电容：310pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9804DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适合 DC-DC 转换器等应用。
3. 小巧的 SOT-23 封装形式，节省 PCB 空间，便于布局设计。
4. 宽泛的工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定运行。
5. 强大的 ESD 防护功能，提升了产品在实际使用中的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器与降压升压电路。
3. 电池管理及保护电路。
4. 负载切换和电机驱动。
5. 各类便携式电子产品，例如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输部分。
SI9806DY, SI2304DS, BSS138
