时间：2025/4/29 12:38:34
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CR4N65A4K是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等应用。该器件采用了先进的GaN技术，具有低导通电阻和快速开关特性，从而能够显著提高效率并减小系统尺寸。
CR4N65A4K的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
额定电压：650V
额定电流：4A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：35nC
最大工作结温：175℃
封装类型：TO-247
CR4N65A4K的主要特性包括：
1. 高效的GaN技术，提供更低的导通损耗和开关损耗。
2. 快速开关能力，支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 低寄生电感设计，优化了动态性能。
4. 内置ESD保护电路，增强了器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
6. 在高频条件下表现出色，非常适合要求高效能的应用场景。
CR4N65A4K广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 高效DC-DC转换器的核心元件。
3. 射频功率放大器的输出级。
4. 电动汽车（EV）充电桩的功率模块。
5. 工业自动化设备中的高频逆变器。
6. 能量收集系统中的高效能量转换部分。
CR4N65A8K, CR4N65B4K
