SRF7083LSR3 时间：2025/9/3 7:12:30 阅读：14

SRF7083LSR3 是 Vishay 公司生产的一款小型、低电阻、高速功率MOSFET，适用于各种高效率电源管理和负载开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供卓越的电气性能和热稳定性。其封装形式为8-SOIC（表面贴装），便于在空间受限的电路中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ（最大）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8-SOIC

特性

SRF7083LSR3 的核心特性包括低导通电阻（Rds(on)）和高速开关能力，使其非常适合用于需要高效率和快速响应的电源管理应用。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，能够显著降低导通损耗，并提高系统的整体效率。其Rds(on)值在栅极电压为4.5V时仅18mΩ，确保了低功耗和高效的性能表现。
　　该器件的封装形式为8-SOIC，具有良好的热性能和紧凑的设计，非常适合用于空间受限的电路板布局。此外，SRF7083LSR3 具有较高的电流承载能力和较低的热阻，可以在高负载条件下保持稳定的性能。
　　从可靠性角度来看，SRF7083LSR3 具有宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C），适合在各种工业和消费类环境中使用。同时，该MOSFET还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中提供稳定的性能。