时间：2025/6/20 20:37:19
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MT15N1R0B500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理等场景，尤其适合需要高效能和高可靠性的应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247，提供良好的散热性能和电气连接能力，便于集成到各种工业和消费类电子产品中。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.0mΩ
总功耗：300W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性和耐用性，确保长期运行的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代设计要求。
6. 封装形式坚固，支持高效的热量散发。
MT15N1R0B500CT 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电力系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
6. 各种负载开关和保护电路。
MT15N1R0B500CT 的替代型号包括：IRFP460, STP15NM50, FQA15N50C
