类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　标称齐纳电压（Vz）：8.2V
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳电压（Vz max）：8.6V
　　最小齐纳电压（Vz min）：7.8V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（在Vz=1mA时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

ZMM55C8V2T/R齐纳二极管具有良好的电压稳定性和低动态阻抗，确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压。其SOD-123封装设计不仅节省空间，还便于自动化装配和高密度布局。该器件的最大功耗为300mW，在5mA测试电流下表现出优异的电压调节性能。此外，其低反向漏电流（最大100nA）有助于减少静态功耗，提高系统能效。
　　ZMM55C8V2T/R的齐纳电压容差控制在±5%以内，适用于需要精确电压调节的应用。该器件的温度系数较低，能够在宽温度范围内保持稳定的电压特性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等场景。此外，ZMM55C8V2T/R具有良好的瞬态响应能力，能够快速响应电压波动，提供可靠的电路保护。

ZMM55C8V2T/R广泛应用于各类电子设备中，主要用于电压调节和稳压电路。例如，在电源管理模块中，它可以作为基准电压源或电压钳位器件，确保电路在安全电压范围内运行。此外，该器件也常用于信号调理电路、过压保护电路以及模拟和数字系统的参考电压源。ZMM55C8V2T/R的SOD-123封装使其适用于表面贴装技术（SMT），适合在高密度PCB布局中使用，常见于消费电子产品、汽车电子、工业自动化设备和通信基础设施等领域。

BZX84-C8V2, MMSZ5246B-T1