类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大有效值电压（VRMS）：42V
　　最大平均整流电流（IO）：2A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向压降（VF）@ 2A：850mV（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）@ 60V, 25°C：500μA
　　最大反向漏电流（IR）@ 60V, 125°C：3mA
　　最大反向恢复时间（trr）：5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C

206-2ST肖特基二极管的核心优势在于其采用先进的平面技术制造，实现了极低的正向导通压降与极快的开关速度。这种结构通过金属-半导体结形成势垒，避免了传统PN结中的少数载流子存储效应，从而显著缩短了反向恢复时间至仅5纳秒，非常适合高频开关电源系统。其最大平均整流电流可达2A，在同类SMA封装产品中表现出色，能够满足中等功率应用的需求。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在结温高达125°C的条件下持续运行，确保在高负载或恶劣环境下的长期可靠性。
　　该二极管的反向耐压为60V，适用于12V、24V及48V直流系统的整流与防反接保护。在实际应用中，850mV的正向压降在2A电流下可显著降低功耗和发热，提升整体能效。相比传统硅二极管，其能耗减少约30%以上，对于注重能源效率的设计尤为重要。同时，器件具备50A的峰值浪涌电流承受能力，能够有效抵御开机瞬间的冲击电流，增强系统鲁棒性。
　　206-2ST采用SMA小型化表面贴装封装，体积小巧，便于密集布局，支持回流焊工艺，适合现代自动化生产线。其材料兼容无铅焊接流程，并符合RoHS环保标准，适用于出口型电子产品。器件还具备良好的抗湿性和机械强度，经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和恒定湿热试验，确保在工业控制、通信设备和汽车电子等严苛应用场景中的稳定表现。

206-2ST广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式和正激式拓扑结构中发挥关键作用。它也常用于DC-DC转换器模块，如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）电路，作为续流或隔离二极管使用，以提高转换效率并减少热量积聚。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源等便携式设备的电源管理单元。由于其低VF特性，有助于延长电池续航时间。在工业领域，206-2ST可用于PLC控制器、传感器供电电路、电机驱动器的钳位保护电路以及不间断电源（UPS）系统中的防倒灌设计。
　　此外，该二极管还可用于逆变器、太阳能充电控制器、电动车控制系统等新能源相关设备中。其快速响应能力和高可靠性使其成为防止电感反电动势损坏MOSFET或其他敏感元件的理想选择。在信号处理电路中，也可作为高速检波或逻辑电平隔离元件使用。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的应用场景，206-2ST都是一个极具竞争力的解决方案。

MBR260,SMAJ60A,SR260,SS26