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MT03N100J500CT 发布时间 时间:2025/6/3 16:50:48 查看 阅读:3

MT03N100J500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于各种高效率电源转换应用中。其出色的电气性能和可靠性使得它成为工业、汽车以及消费电子领域的理想选择。
  该型号中的各个字母和数字代表了特定的技术参数与封装形式,其中包含了额定电压、电流以及封装类型等关键信息。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:96nC
  开关时间:ton=47ns, toff=22ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

MT03N100J500CT具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作环境,特别适用于开关电源、DC-DC转换器等场景。
  3. 强大的雪崩能量处理能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
  4. 符合RoHS标准,环保且适应现代工业需求。
  5. 可靠性高,耐热性能优越,能够在极端温度范围内正常工作。
  6. 封装设计紧凑,便于集成到各种电路板中。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动控制器
  4. 汽车电子设备中的负载切换
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换组件

替代型号

MT03N100J400CT, IRF840, STP50NF06

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