时间：2025/5/10 14:15:48
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BSS131H6327XTSA1 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 的功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于多种电源管理及信号切换应用。其封装形式为 SOT-23 封装，具备小尺寸、高可靠性的特点，非常适合空间受限的设计场景。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，例如负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：0.4A
导通电阻(Rds(on))：2.9Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
功耗(PD)：480mW（在 Ta=25°C 条件下）
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 快速开关性能使其适用于高频开关应用。
3. 高静电防护能力提升了器件的可靠性。
4. 小型化封装节省了 PCB 空间，简化了系统设计。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种环境条件。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和降压升压转换模块。
3. 电池供电设备中的电源管理单元。
4. 便携式电子产品中的小型电机驱动。
5. 各种保护电路如过流保护和短路保护。
BSS138, BSS84
