您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > S-LESD8D5.0CT1G

S-LESD8D5.0CT1G 发布时间 时间:2025/8/13 6:37:56 查看 阅读:19

S-LESD8D5.0CT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的静电放电(ESD)保护二极管,专门用于保护敏感的电子设备免受静电放电、浪涌和瞬态电压的影响。该器件采用小型表面贴装封装(SOD-882,也称为SC-109),适用于空间受限的便携式电子产品。S-LESD8D5.0CT1G 提供了低钳位电压和快速响应时间,确保在高电压瞬态事件中能够迅速导通,保护下游电路不受损坏。

参数

工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):5.55V(最小值)
  钳位电压(VC):13.3V(最大值,@ Ipp = 2.78A)
  峰值脉冲电流(Ipp):2.78A(8/20μs波形)
  反向漏电流(IR):0.1μA(最大值,@ VRWM)
  电容(CT):30pF(典型值,@ VR = 0V)
  封装:SOD-882(SC-109)
  极性:双向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

S-LESD8D5.0CT1G ESD保护二极管具有多项关键特性,确保其在多种应用中提供可靠的保护。
  首先,该器件的工作电压为5.0V,适用于低压电路保护,尤其适合用于USB、HDMI和其他高速接口的信号线路保护。其击穿电压为5.55V(最小值),确保在正常工作电压下不会触发,同时在超过此电压时快速导通,将多余的能量引导到地。
  其次,S-LESD8D5.0CT1G 的钳位电压为13.3V(最大值),在8/20μs波形下可承受高达2.78A的峰值脉冲电流。这种低钳位电压特性有助于减少对被保护电路的压力,从而提高整体系统的稳定性。
  该器件的反向漏电流仅为0.1μA(最大值),在正常工作条件下对系统功耗影响极小。同时,其电容值为30pF(典型值),非常适合用于高速数据线路的保护,不会对信号完整性造成明显影响。
  封装方面,S-LESD8D5.0CT1G采用SOD-882(SC-109)小尺寸封装,便于在空间受限的设计中使用。其双向极性设计使得在双向瞬态电压保护中具有更高的灵活性,无需考虑方向问题。
  此外,S-LESD8D5.0CT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下保持稳定性能,适用于工业、消费电子、汽车电子等多种应用场景。

应用

S-LESD8D5.0CT1G 主要用于需要静电放电(ESD)和瞬态电压保护的电子设备中。典型应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)、通信设备(如路由器、交换机和基站)、工业控制系统、汽车电子模块(如车载娱乐系统、传感器和控制单元)以及医疗设备。
  具体而言,该器件常用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort、RS-485等高速数据接口的信号线路保护,以防止静电放电和雷击浪涌对敏感IC造成损坏。其低电容特性确保不会影响数据传输速率,同时提供可靠的保护功能。
  在汽车电子中,S-LESD8D5.0CT1G可用于CAN总线、LIN总线和车载诊断接口(OBD-II)等通信接口的保护,确保车辆电子系统在严苛环境下的稳定运行。
  此外,该器件也适用于电池供电设备和物联网(IoT)设备中的电源和信号线路保护,有助于延长设备寿命并提高整体系统可靠性。

替代型号

PESD5V0S1BA, SMBJ5.0A, ESD5584B, TPD3E08U04, ESD9C5.0ST5G

S-LESD8D5.0CT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价