时间：2025/8/29 12:13:16
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MSQC4911C 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。MSQC4911C 通常封装在 SO-8 或 TSSOP 等小型封装中，适合用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（最大值，@ Vgs = 10V）
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SO-8 或 TSSOP
MSQC4911C 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了在高电流下的稳定性和可靠性。
该器件支持高达 6.5A 的连续漏极电流，适用于需要高电流负载能力的电源管理系统。此外，其最大漏源电压为 30V，适用于多种中低电压功率应用。
MSQC4911C 的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在各种驱动电路中的稳定工作，同时其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体能效。
该 MOSFET 封装在 SO-8 或 TSSOP 等小型封装中，便于在空间受限的设计中使用，并具有良好的热管理能力，确保在高负载下也能保持稳定工作温度。
其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适应各种严苛环境条件，广泛用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
MSQC4911C 主要用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。其高效率和小尺寸封装使其特别适合用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。此外，它也常用于服务器、通信设备和工业控制系统中的功率管理模块。
Si4911BDY-T1-GE3, FDS4911A, NVTFS4911NLTAG, STD4911B
