类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：220mA @ 25°C
　　漏源导通电阻(Rds(on))：3.5Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：7.2nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS138 T/R的N沟道结构使其在导通状态下具有较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高能效。其漏极和源极之间的最大电压可达100V，适用于多种低压到中压开关应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持从+4.5V到+20V的栅极控制电压，确保在不同电路环境下都能稳定工作。
　　该器件的封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且便于自动化贴装，适用于高密度PCB布局。BSS138 T/R的开关速度较快，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和继电器驱动等。
　　在可靠性方面，BSS138 T/R具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其最大连续漏极电流为220mA，在常温环境下可满足大多数低功率开关应用的需求。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。

BSS138 T/R主要应用于低电压开关、电平转换器、小型电机控制、LED驱动电路以及电源管理系统中。由于其体积小、响应快和功耗低的特点，非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和各类嵌入式控制系统。
　　在数字电路中，BSS138 T/R常用作逻辑电平转换器，实现不同电压域之间的信号传输。例如，在3.3V MCU与5V外围设备之间进行信号转换时，该MOSFET可以作为高效的双向电平转换元件。此外，它还可用于电池供电设备中的负载开关，以控制电源的通断，延长电池寿命。
　　工业控制领域中，BSS138 T/R可用于小型继电器的驱动电路，替代传统的双极型晶体管，提高开关效率并减少发热。在自动化设备和传感器系统中，该MOSFET可作为信号放大器或缓冲器，确保信号的稳定传输。

2N7002, FDV301N, SI2302DS, FDN302P, 2N3904