LDTC114WET1G 时间：2025/8/13 19:54:07 阅读：15

LDTC114WET1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和优良的热性能，能够在高频条件下稳定运行。LDTC114WET1G采用SOT-23-6L封装，适合空间受限的高密度设计场景。

参数

类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏极电流（ID）：200 mA（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω（典型值）@ VGS = 4.5 V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23-6L

特性

LDTC114WET1G采用了先进的Trench MOSFET技术，使得该器件具备非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能保持稳定的性能，适用于需要长时间运行的电源系统。其SOT-23-6L封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理能力，适用于紧凑型设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间工作，适合多种控制电路的接口需求。LDTC114WET1G还具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器等。此外，其高可靠性和耐久性也使其在汽车电子、工业控制、消费类电子产品中得到了广泛应用。

应用

LDTC114WET1G主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统中的负载开关和电源分配控制；
　　2. 便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的DC-DC转换器；
　　3. 电池供电设备中的电源管理模块；
　　4. 工业控制系统中的开关电路和驱动电路；
　　5. 汽车电子中的低功耗电源管理应用。