MSM8630-1-745PNSP-TR-02-0 是一款由 Avago(安华高)公司制造的射频(RF)开关芯片,主要用于无线通信系统中实现信号路径的切换。该器件采用先进的 GaAs(砷化镓)技术制造,具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间等优点,适用于需要高性能射频切换的场合,例如移动通信设备、基站、无线基础设施设备以及测试测量仪器等。该器件采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到现代通信系统中。
工作频率范围:800 MHz - 2.5 GHz
插入损耗:典型值0.3 dB
隔离度:典型值30 dB @ 1 GHz
切换时间:小于100 ns
供电电压:2.7 V - 5.5 V
控制电压:1.8 V - 5.5 V
封装类型:QFN
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MSM8630-1-745PNSP-TR-02-0 是一款高性能的射频开关,具备出色的电气性能和稳定性,适合多种无线通信应用场景。
该芯片采用了先进的GaAs技术,使其在高频段仍能保持良好的性能。其典型的插入损耗仅为0.3 dB,这确保了信号在通过开关时的损耗最小化,从而提高了系统的整体效率。隔离度达到30 dB以上,使得不同信号路径之间的干扰降到最低,提高了系统的信噪比。
切换时间小于100 ns,使得该开关能够快速响应控制信号的变化,适用于需要快速切换的应用场景。其供电电压范围为2.7 V至5.5 V,控制电压范围为1.8 V至5.5 V,这种宽电压范围设计提高了芯片的兼容性,可以与多种控制器和电源系统配合使用。
此外,该器件采用QFN封装,体积小巧且易于集成,适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应各种恶劣的工作环境,保证了在不同温度条件下的稳定运行。
MSM8630-1-745PNSP-TR-02-0 主要应用于无线通信系统中,如移动通信设备、基站、无线基础设施设备以及测试测量仪器等。
在移动通信设备中,它可以用于切换不同的射频信号路径,以适应不同的通信频段和模式。在基站系统中,该芯片可以用于优化天线系统的信号路由,提高系统的灵活性和性能。在无线基础设施设备中,它能够实现高效的信号管理,提高设备的可靠性和稳定性。此外,在测试测量仪器中,该芯片可以用于实现多路信号的快速切换,提高测试效率和精度。由于其优异的性能和广泛的工作条件,该芯片也适用于其他需要高性能射频开关的工业和商业应用。
HMC349MS8CTR、PE4259、SKY13370-395LF