时间：2025/5/29 10:22:40
阅读：10
MS8N100FT 是一款基于 MOSFET 技术的功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用 N 沟道增强型设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-220，便于散热管理和电路板布局。
MS8N100FT 的主要功能是通过控制栅极电压来实现负载电路的开关操作，同时能够承受较高的漏源电压，适合在中高压应用环境中使用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：0.07Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
MS8N100FT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，支持高频开关应用。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。
4. 内置 ESD 保护，提升了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 封装坚固耐用，适合自动化贴片生产。
MS8N100FT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的功率级元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 汽车电子中的继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类需要高效功率转换的应用场景。
IRF840, K1008N, FDN339AN
